ABM光刻机可集成纳米压印功能，模版材料：硅，石英，镍等，适用于各种纳米压印版式的模版;压印模版可以广泛应用于可再生能源、微流体、纳流体、发光二极管和激光器、生命科学，如芯片实验室系统、光学、射频元器件、数据存储、半导体等不同的领域

主要技术指标：

光强均匀性Beam Uniformity:

---< ±1% over 2”区域

---< ±2% over 4”区域

---< ±3% over 6”区域

接触式样曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）：0.5 um

接触式样曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um

支持接近式曝光，特征尺寸CD：

---0.8um硬接触

---1um20um间距时

---2um50um间距时

正面对准精度±0.5um

背面对准精度±2-±3um（Depends on user）

支持正胶、负胶及Su8胶等的厚胶光刻，特征尺寸：100um-300um

支持LED优异电流控制技术PSS工艺光刻

支持真空、接近式、接触式曝光

支持恒定光强或恒定功率模式